Componente Electrónico MR256D08BMA45 48 LFBGA Memoria en Existencia
Componente Electrónico MR256D08BMA45 48 LFBGA Memoria en ExistenciaSin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito Integrado ChipCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:45 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
256 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
45 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
696 - 3,695 unidades
EUR 291
>= 3,696 unidades
EUR 146
Variantes
ElegirEspecificación
Señor256D08BMA45
Envío
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