Componente Electrónico MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR 63 VFBGA Memoria Original
Componente Electrónico MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR 63 VFBGA Memoria OriginalSin reseñas
Atributos
Flash - NANDLa tecnología
No volátilTipo de memoria
512M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
Flash - NAND
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
1 - 999 unidades
EUR 243
>= 1,000 unidades
EUR 170
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F4G08ABBDAH4 TI: TR
Envío
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