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Electronics Component Manufacturer Channel 9-PowerWDFN Transistors IQE008N03LM5CGSCATMA1

Sin reseñas
EUR 1.48
100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades
Características

Características principales

Número de Modelo

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

9-PowerWDFN

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Características clave

Número de Modelo
IQE008N03LM5CGSCATMA1
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
9-PowerWDFN
Description
MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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