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Componente Electrónico de Memoria 100 LBGA SM662GBD-BDST Distribuidor Autorizado

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5Chips Tech Limited
1 año
HK

Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
1 Tbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación
-
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
eMMC

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
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Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
100 - 3099 unidades
EUR 0.4719
>= 3100 unidades
EUR 0.236

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