Componente Electrónico de Memoria 12 WQFN Exposed Pad DS28CZ04G-4+T Distribuidor Autorizado
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
4 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos Integrados (IC)Características
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:EEPROM
-Tensión de alimentación:2V ~ 5,25V
Frecuencia de reloj:400 kilohercios
Organización de la memoria:512 por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:I2C
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
EEPROM
-Tensión de alimentación
2V ~ 5,25V
Frecuencia de reloj
400 kilohercios
Organización de la memoria
512 por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
I2C
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5527
>= 3,100 unidades
EUR 0.2764
Variantes
ElegirEspecificación
DS28CZ04G 4+T
Envío
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