Componente Electrónico de Memoria 121 WFBGA MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR BOM IC en Existencia
Puntuación de la tienda:
4.6
(3 reseñas)






Atributos
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2La tecnología
No Volátil, VolátilTipo de memoria
128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2)Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 Gbit (NAND), 512 Mbit (LPDDR2)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación:1,8 voltios
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Tipo de memoria
No Volátil, Volátil
Organización de la memoria
128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDDR2)
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 Gbit (NAND), 512 Mbit (LPDDR2)
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación
1,8 voltios
Frecuencia de reloj
533 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 226
>= 4,000 unidades
EUR 114
Variantes
ElegirEspecificación
MT29RZ1CVCZZHGTN 18 ancho.85 alto TR
Envío
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