Componente Electrónico de Memoria 132 VBGA MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR Original
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NAND (TLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
64G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
512 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:2,5 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:333 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
64G por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
2,5 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
333 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5566
>= 3,100 unidades
EUR 0.2783
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F512G08EBHAFJ4 3ITFES: UN TR
Envío
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