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Componente Electrónico de Memoria 134 VFBGA W978H6KBVX1I TR Original, Servicio Integral

Sin reseñas
EUR 2.51
3,500-6,499 unidades
EUR 1.27
≥6,500 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

W978H6KBVX1I TR

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

256Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 256Mbit HSUL 12 134VFBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
W978H6KBVX1I TR
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
256Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 256Mbit HSUL 12 134VFBGA
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
134-VFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - Móvil LPDDR2-S4B
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
533 MHz
Organización de la memoria
16M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
HSUL_12
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores