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Componente Electrónico de Memoria 144 LFBGA AS4C2M32D1A-5BINTR en Existencia

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM -DDR
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:2M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
64 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM -DDR
-Tensión de alimentación
2,3 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Organización de la memoria
2M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1 - 1499 unidades
EUR 1.90
>= 1500 unidades
EUR 1.34

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