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Componente Electrónico de Memoria 153 TFBGA ASFC32G31T3-51BIN Canal del Fabricante

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:32G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC_5.1
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
256 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Organización de la memoria
32G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
eMMC_5.1

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

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1 - 3000 unidades
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