Componente Electrónico de Memoria 200 TFBGA W66BQ6NBQAHJ Distribuidor Autorizado
Puntuación de la tienda:
4.6
(3 reseñas)
Atributos
SDRAM - LPDDR4X móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128M por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Kit de Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:LVSTL_06
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4X móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128M por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18 segundos
Interfaz de Memoria
LVSTL_06
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
144 - 3,143 unidades
EUR 1.51
>= 3,144 unidades
EUR 0.7563
Variantes
ElegirEspecificación
W66BQ6NBQAHJ
Envío
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