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Componente Electrónico de Memoria 200 VFBGA MT53B768M32D4DT-062 AIT:B BOM IC en Existencia

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
24 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Organización de la memoria:768 millones x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
24 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación
1,1 V
Frecuencia de reloj
1,6 gigahercios
Organización de la memoria
768 millones x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
-

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
100 - 3099 unidades
EUR 0.5577
>= 3100 unidades
EUR 0.2789

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