





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
24 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Organización de la memoria:768 millones x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-














