Componente Electrónico de Memoria 200 WFBGA MT62F2G32D4DS-023 FAAT:B BOM IC en Existencia
Puntuación de la tienda:
5.0
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Atributos
SDRAM - LPDDR5 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
2G por 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
64 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Caja
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:1,05 voltios
Frecuencia de reloj:4,266 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR5 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
2G por 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
64 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Caja
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
1,05 voltios
Frecuencia de reloj
4,266 gigahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5267
>= 3,100 unidades
EUR 0.2634
Variantes
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MT62F2G32D4DS 023 TIEMPO:B
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