Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:256 millones x 8, 2G x 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:750 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
