Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
16 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FRAM (RAM Ferroeléctrica)
-Tensión de alimentación:1,8 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Organización de la memoria:2M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie
