Componente Electrónico de Memoria 48 TFSOP MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR Canal del Fabricante
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5.0
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Atributos
FLASH - NAND (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
1G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:20 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
1G por 8
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Aplicación
Memoria
Características
Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
20 segundos
Frecuencia de reloj
-
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
1,000 - 3,999 unidades
EUR 240
>= 4,000 unidades
EUR 120
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F8G08ABACAWP AIT:C TR
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
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