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Componente Electrónico de Memoria 63 BGA TH58NYG2S3HBAI4 Original

Sin reseñas
EUR393
1-3,000 unidades
EUR197
≥3,001 unidades

Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

TH58NYG2S3HBAI4

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

4Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
TH58NYG2S3HBAI4
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
4Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
63-BGA
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
512M x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
25ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
FLASH

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores