Componente Electrónico de Memoria 78 TFBGA MT41K128M8DA-107:J Canal del Fabricante
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito integrado de chip de componente electrónico ICCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3L
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:128M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - DDR3L
-Tensión de alimentación
1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj
933 megahercios
Organización de la memoria
128M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 1.92
>= 3,001 unidades
EUR 0.9563
Variantes
ElegirEspecificación
MT41K128M8DA 107:J
Envío
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