Componente Electrónico de Memoria 8 VDFN Exposed Pad M25P10-AVMP6T TR en Existencia
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Partes y Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:50 megahercios
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 milisegundos, 5 milisegundos
Interfaz de Memoria:interfaz serie
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
1 Mbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Partes y Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NO
-Tensión de alimentación
2,3 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
50 megahercios
Organización de la memoria
128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 milisegundos, 5 milisegundos
Interfaz de Memoria
interfaz serie
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3999 unidades
EUR 0.5386
>= 4000 unidades
EUR 0.3762
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