Componente Electrónico de Memoria K6X0808C1D-GF55T en Existencia
Sin reseñas
Atributos
SRAM - AsíncronoLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
32K por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:55 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Asíncrono
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
32K por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
256 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
55 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
250 - 3,249 unidades
EUR 1.60
>= 3,250 unidades
EUR 0.8003
Variantes
ElegirEspecificación
K6X0808C1D GF55T
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