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Componente Electrónico PG-HB2SOF-8-1 PXAE263708NB-V1-R0 Transistores Originales

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

PXAE263708NB-V1-R0

Marca

Original

Descripción

RF MOSFET LDMOS 28V 8HB2SOF

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-HB2SOF-8-1

Serie

-

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Características clave

Número de pieza del fabricante
PXAE263708NB-V1-R0
Marca
Original
Descripción
RF MOSFET LDMOS 28V 8HB2SOF
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-HB2SOF-8-1
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
-Frecuencia de transición
2.62GHz ~ 2.69GHz
Corriente nominal (en amperios)
10µA
Potencia de salida
57W
-Tensión nominal
65 V
Configuración
-
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
LDMOS
Configuración
-
Frecuencia
2.62GHz ~ 2.69GHz
Ganancia
14dB

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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