Electronics Component PG-TO247-4-U04 IMYH200R100M1HXKSA1 Transistors Manufacturer Channel
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Atributos
IMYH200R100M1HXKSA1Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
PG-TO247-4-U04Package / Case
Description:SIC DISCRETE
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Características clave
Número de Modelo
IMYH200R100M1HXKSA1
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-TO247-4-U04
Description
SIC DISCRETE
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 1471
>= 3,100 unidades
EUR 736
Variantes
ElegirCaracterísticas
IMYH200R100M1HXKSA1
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