Electronics Component PG-WHTFN-9-U02 IQD005N04NM6CGSCATMA1 Transistors Authorized Distributor
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
IQD005N04NM6CGSCATMA1Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
PG-WHTFN-9-U02Package / Case
Description:POWER MOSFETS 25 V - 150
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
IQD005N04NM6CGSCATMA1
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
PG-WHTFN-9-U02
Description
POWER MOSFETS 25 V - 150
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 325
>= 3,100 unidades
EUR 163
Variantes
ElegirCaracterísticas
IQD005N04NM6CGSCATMA1
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