Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:166 megahercios
Organización de la memoria:8M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
