Componente Electrónico S80KS5122GABHI020 24 VBGA Memoria Original Servicio Integral
Puntuación de la tienda:
4.6
(3 reseñas)
Atributos
PSRAM (Pseudo SRAM)La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
64M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados (IC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:35 segundos
Interfaz de Memoria:Autobús hipersónico
Características clave
La tecnología
PSRAM (Pseudo SRAM)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
35 segundos
Interfaz de Memoria
Autobús hipersónico
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 378
>= 3,001 unidades
EUR 190
Variantes
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S80KS5122GABHI020
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