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Componente Electrónico SI3477DV-T1-GE3 6-TSOP Transistores Originales Servicio Integral

Sin reseñas
EUR 0.4229
100-3,099 unidades
EUR 0.216
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI3477DV-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-TSOP

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI3477DV-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-TSOP
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NEW
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
12 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2600 pF @ 6 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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