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Componente Electrónico SIDR402DP-T1-GE3 Transistores PowerPAK SO-8DC en Stock

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100-3,099 unidades
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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIDR402DP-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerPAK SO-8DC

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIDR402DP-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK SO-8DC
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET de cuarta generación
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
9100 pF @ 20 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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