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Componente Electrónico TO-247-3 IV2Q171R0T3 Transistores BOM IC En Stock

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≥3,100 unidades

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Características principales

Número de pieza del fabricante

IV2Q171R0T3

Marca

Original

Descripción

GEN2, MOSFET SIC, 1700V 1000MOHM

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247-3

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IV2Q171R0T3
Marca
Original
Descripción
GEN2, MOSFET SIC, 1700V 1000MOHM
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
6.7A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
910mOhm @ 1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 380uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
285 pF @ 1000 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
18V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
-
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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