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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componente Electrónico Transistores 3-PQFN TP65H480G4JSG-TR Original

Sin reseñas
EUR252
100-3,099 unidades
EUR127
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TP65H480G4JSG-TR

Marca

Original

Descripción

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

3-PQFN (5x6)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
3-PQFN (5x6)
Descripción
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Número de pieza del fabricante
TP65H480G4JSG-TR
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
560 miliohmios a 3,4 A, 8 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
9 nC @ 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
760 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
8V
Vgs (Max)
±18V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (FET de nitruro de galio cascode)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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