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Componentes Electrónicos, Transistores 6-WDFN con Base Expuesta NVLJD4007NZTBG, Servicio Integral Original

Sin reseñas
EUR 0.1082
100-3,099 unidades
EUR 0.0631
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NVLJD4007NZTBG

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-WDFN con pad expuesto

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NVLJD4007NZTBG
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 0.245A 6WDFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-WDFN con pad expuesto
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
755mW
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
245mA
Rds (Max) @ Id Vgs
7 ohmios a 125 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
20pF @ 5V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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