Electronics Component Transistors 8-WLCSP GAN3R2-100CBEAZ BOM IC In Stock
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
GAN3R2-100CBEAZNúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
8-WLCSP (3.5x2.13)Package / Case
Description:100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:GaNFET (Gallium Nitride)
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
GAN3R2-100CBEAZ
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
8-WLCSP (3.5x2.13)
Description
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 516
>= 3,100 unidades
EUR 258
Variantes
ElegirCaracterísticas
GAN3R2-100CBEAZ
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