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Componentes Electrónicos, Transistores DFN1110D-3 BSS138AKQB-QZ, Servicio Integral Original

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EUR 0.151
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSS138AKQB-QZ

Marca

Original

Descripción

BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

DFN1110D-3

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSS138AKQB-QZ
Marca
Original
Descripción
BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
DFN1110D-3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
340mA (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
2.8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
315 pC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
9 pF @ 30 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial, flanco mojable
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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