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Componente Electrónico Transistores DirectFET Isometric ME IRF7580MTRPBF En Stock

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF7580MTRPBF

Marca

Original

Descripción

IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

DirectFET Isométrico ME

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF7580MTRPBF
Marca
Original
Descripción
IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
DirectFET Isométrico ME
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
FuerteIRFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
114A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6510 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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