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Electronics Component Transistors PG-TO251-3-11 IPS031N03LGAKMA1 Manufacturer Channel

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5Chips Tech Limited
1 año
HK

Atributos

IPS031N03LGAKMA1Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
PG-TO251-3-11Package / Case
Description:LV POWER MOS
Package:Tube,Tube
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Número de Modelo
IPS031N03LGAKMA1
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-TO251-3-11
Description
LV POWER MOS
Package
Tube,Tube
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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100 - 3099 unidades
EUR 0.3991
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