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Componente Electrónico Transistores PowerPAK10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3 En Stock

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SIHK055N60E-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

SERIE E MOSFET DE POTENCIA POWERPAK 1

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerPAK10 x 12

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SIHK055N60E-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
SERIE E MOSFET DE POTENCIA POWERPAK 1
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK10 x 12
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
E
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
42A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
56mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3504 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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