Electronics Component Transistors TO-226-3, TO-92-3 2N5770 APM TIN/LEAD Manufacturer Channel
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Atributos
2N5770 APM TIN/LEADNúmero de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
Bipolar (BJT)Aplicación funcional
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)Package / Case
Description:15V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Package:Tape & Box (TB)
Transistor Type:NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown:15V
Frequency - Transition:900MHz
Power - Max:625mW
Current - Collector (Ic) (Max):50mA
Características clave
Número de Modelo
2N5770 APM TIN/LEAD
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Bipolar (BJT)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Description
15V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Package
Tape & Box (TB)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown
15V
Frequency - Transition
900MHz
Power - Max
625mW
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 0.1199
>= 3,100 unidades
EUR 0.06
Variantes
ElegirCaracterísticas
2N5770 APM TIN/LEAD
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