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Componentes Electrónicos Transistores TO-247-4 SICW025N120H4-BP En Stock

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SICW025N120H4-BP

Marca

Original

Descripción

MOSFET SIC, TO-247-4

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247-4

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SICW025N120H4-BP
Marca
Original
Descripción
MOSFET SIC, TO-247-4
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-4
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
86A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
305 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4909 pF @ 800 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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