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Componente Electrónico UF4SC120023B7SSB D2PAK-7L Transistores BOM IC En Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

UF4SC120023B7SSB

Marca

Original

Descripción

1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

D2PAK-7L

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
UF4SC120023B7SSB
Marca
Original
Descripción
1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
D2PAK-7L
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel, Depletion Mode
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
72A (Tj)
Rds (Max) @ Id Vgs
30mOhmios a 40A, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
37.8 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1430 pF @ 800 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
12V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N, modo de depleción
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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