Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR2-S4B móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Organización de la memoria:64M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:número de escuela_12
