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IRFP4668PBF TO-247 IRFP4668 MOSFET N-channel 200V 130A 520W power transistor Through Hole

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Características principales

Número de pieza del fabricante

IRFP4668PBF

Tipo

MOSFET

Marca

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Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

MOSFET de canal N de 200 V y 130 A

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRFP4668PBF
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
MOSFET de canal N de 200 V y 130 A
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-247,TO-247AC
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
Poder-Max
520W
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
130A
Rds (Max) @ Id Vgs
9.7mΩ@10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
241nC@10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
10.72nF

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