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IRF630NPBF N-channel MOSFET TO-220 200V 9.3A 82W 300mOhm/10V -55℃~+175℃ power transistor IRF630N Through Hole

Sin reseñasbillboard#5 populares en Transistores FET de canal N
EUR 0.1042-0.2862
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Características

IRF630NPBF
Opciones de personalización
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 10.000 unidades)

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF630NPBF

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Descripción

MOSFET de canal N de 200 V y 9,3 A

Lugar del origen

Other

PAQUETE/cubierta

TO-220

De un vistazo

  • MOSFET de canal N: Este MOSFET de canal N está diseñado para conmutar corrientes de alta frecuencia con una resistencia en estado de conducción ultra baja, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un manejo eficiente de la energía.

  • Paquete TO-220: El paquete TO-220 proporciona una opción de montaje por agujeros pasantes, lo que asegura conexiones confiables y robustas en diversos circuitos electrónicos.

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF630NPBF
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Descripción
MOSFET de canal N de 200 V y 9,3 A
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-220
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
9.3A
Rds (Max) @ Id Vgs
300mOhm @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
35nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
575pF
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de embalaje
Orificio pasante
Tipo de montaje
Orificio pasante

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

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