N-channel MOSFET transistor IRF630NPBF TO-220AB Field Effect Transistor mosfet electronics components
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Atributos
MOSFETTipo
Agujero de labranzaTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
TO-220-3PAQUETE/cubierta
Field Effect TransistorDescripción
IRF630NPBFNúmero de pieza del fabricante
Marca:Original
Lugar del origen:Original
Temperatura de funcionamiento:-55℃~+175℃
FET tipo:N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss):200V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:9.3A
Rds (Max) @ Id Vgs:300mOhm @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:35nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):575pF
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V
Vgs (Max):±20V
Características clave
Tipo
MOSFET
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Tipo de montaje
A través del agujero
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
Descripción
Field Effect Transistor
Número de pieza del fabricante
IRF630NPBF
Marca
Original
Lugar del origen
Original
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
9.3A
Rds (Max) @ Id Vgs
300mOhm @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
35nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
575pF
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
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