Transistor de IRF640NPBF TO-220AB ranranraniiiiell ffffect ranransistor BOM M
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Atributos
MOSFETTipo
Agujero de labranzaTipo de paquete
TO-220ABPAQUETE/cubierta
Transistor de Efecto de CampoDescripción
IRF640NPBFNúmero de pieza del fabricante
OriginalMarca
Lugar del origen:Original
Tipo de montaje:A través del agujero
Características clave
Tipo
MOSFET
Tipo de paquete
Agujero de labranza
PAQUETE/cubierta
TO-220AB
Descripción
Transistor de Efecto de Campo
Número de pieza del fabricante
IRF640NPBF
Marca
Original
Lugar del origen
Original
Tipo de montaje
A través del agujero
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