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IRFB4020PBF IRFB4020 TO-220 MOSFET N-channel transistor 200V 18A 100mOhm 100W power electronics components -55℃~+175℃

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Características principales

Número de pieza del fabricante

IRFB4020PBF

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

MOSFET de canal N 200V 18A

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRFB4020PBF
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
MOSFET de canal N 200V 18A
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-220,TO-220AB
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
Poder-Max
100W
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18A
Rds (Max) @ Id Vgs
100mΩ@10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.9V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
29nC@10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1.2nF

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