Atributos
Transistor PNPTipo
FEIYANGMarca
Montaje superficialTipo de paquete
Diodo SMDDescripción
ChinaLugar del origen
SOT23-3PAQUETE/cubierta
Temperatura de funcionamiento:150
Serie:Diodo
d/c:Transistor PNP
Uso:Micrófono
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista, Otros
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD, Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.):FEIYANG
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):40
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:10
Corriente de colector de corte (Max):10
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:10
Poder-Max:10
-Frecuencia de transición:105
Tipo de Montaje:De montaje
Resistencia Base (R1):5
Resistencia-emisor Base (R2):5
FET característica:Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss):60
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:5
Rds (Max) @ Id Vgs:5
Vgs (th) (Max) @ Id:5
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:5
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):5
Frecuencia:120
Corriente nominal (en amperios):12
Ruido:60
Potencia de salida:15
-Tensión nominal:220
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):12
Vgs (Max):12
Tipo IGBT de:10
Configuración:T-tipo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:5
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:2
De entrada:2
Termistor NTC:2
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):6
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):5
Corriente de drenaje (Id).:5
-Tensión de corte (VGS) @ Id:2
Resistencia-On (RDS):2
Tensión de salida-salida:2
-Tensión Offset (Vt):2
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):2
Corriente de Valle Iv):2
Corriente de pico:2
Tipo de Transistor:PNP
Tipo de montaje:Diodo SMD
Pago:Conector t
MOQ:1PCS
Paquete:SMD
Envío por:DHL
Servicio:24 horas de servicio en línea
Tiempo de plomo:5-7 días
Garantía:1 año
Condición:100% original
Temperatura de funcionamiento:120
Descripción:Transistor PNP
Voltaje:2
Aplicaciones:2
