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Transistores FF06100G 4-PDFN, Componentes Electrónicos para Circuitos Integrados, Disponibles en Stock

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

FF06100G

Marca

Original

Descripción

SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

4-PDFN (8x8)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
FF06100G
Marca
Original
Descripción
SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
4-PDFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
halcón
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
20.6A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 14mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
43 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1000 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
18V
Vgs (Max)
18V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores