FMV19N60E Paquete de transistor MOSFET de potencia de canal N único 19N60E del paquete de La TO-3P
Puntuación de la tienda:
4.9
(35 reseñas)
Atributos
MOSFETTipo
Propósito generalUso
Agujero de labranzaTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
Diodo Schottky (aislado)FET característica
SOLOConfiguración
Número de pieza del fabricante:19N60E
Marca:FUJ
Descripción:Transistores del canal N FMV19N60E del MOSFET del poder
Lugar del origen:TAIWAN
PAQUETE/cubierta:TO3P
Temperatura de funcionamiento:-55-150C
Serie:TRANSISTORES
Código de fecha de fabricación:Estándar
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Referencia cruzada:Transistor
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.):8 A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):-30 V + 30 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:ESTÁNDAR
Corriente de colector de corte (Max):8a
Poder-Max:225 W
-Frecuencia de transición:Mejora
Resistencia Base (R1):Mejora
Resistencia-emisor Base (R2):1,45 ohmios
FET tipo:Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):3V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:8a
Rds (Max) @ Id Vgs:NC 70
Vgs (th) (Max) @ Id:Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Estándar
Frecuencia:Estándar
Corriente nominal (en amperios):Estándar
Ruido:Estándar
Potencia de salida:225W
-Tensión nominal:3V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Estándar
Vgs (Max):Estándar
Tipo IGBT de:Mosfet
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Estándar
De entrada:Estándar
Termistor NTC:Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Estándar
Corriente de drenaje (Id).:Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Estándar
Resistencia-On (RDS):Estándar
Tensión de salida-salida:Estándar
-Tensión Offset (Vt):Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Estándar
Corriente de Valle Iv):Estándar
Corriente de pico:Estándar
Tipo de Transistor:Mosfet
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
Propósito general
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Tipo de montaje
A través del agujero
FET característica
Diodo Schottky (aislado)
Configuración
SOLO
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
225 W
PAQUETE/cubierta
TO3P
Descripción
Transistores del canal N FMV19N60E del MOSFET del poder
Número de pieza del fabricante
19N60E
Marca
FUJ
Lugar del origen
TAIWAN
Temperatura de funcionamiento
-55-150C
Serie
TRANSISTORES
Código de fecha de fabricación
Estándar
Referencia cruzada
Transistor
Corriente de colector (Ic) (máx.)
8 A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-30 V + 30 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
ESTÁNDAR
Corriente de colector de corte (Max)
8a
-Frecuencia de transición
Mejora
Resistencia Base (R1)
Mejora
Resistencia-emisor Base (R2)
1,45 ohmios
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
3V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8a
Rds (Max) @ Id Vgs
NC 70
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Frecuencia
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
Estándar
Ruido
Estándar
Potencia de salida
225W
-Tensión nominal
3V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vgs (Max)
Estándar
Tipo IGBT de
Mosfet
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
De entrada
Estándar
Termistor NTC
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Tipo de Transistor
Mosfet
Tipo de montaje
PCB
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
19X10X5 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
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