Atributos
19N60ENúmero de Modelo
MOSFETTipo
FUJMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
Transistores MOSFET de Potencia Canal N FMV19N60EDescripción
TAIWANLugar del origen
PAQUETE/cubierta:hasta 3P
Temperatura de funcionamiento:-55-150C centígrados
Serie:TRANSISTORES
d/c:Estándar
Uso:Propósito general
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Referencia cruzada:transistor
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.):8 a
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):- 30V + 30V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:ESTÁNDAR
Corriente de colector de corte (Max):8 am
Poder-Max:225 vatios
-Frecuencia de transición:Mejora
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):Mejora
Resistencia-emisor Base (R2):1,45 ohmios
FET tipo:Canal N
FET característica:Diodo Schottky (aislado)
Tensión de drenador a fuente (Vdss):3 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:8 am
Rds (Max) @ Id Vgs:70 nanocoulombios
Vgs (th) (Max) @ Id:Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Estándar
Frecuencia:Estándar
Corriente nominal (en amperios):Estándar
Ruido:Estándar
Potencia de salida:225 vatios
-Tensión nominal:3 voltios
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Estándar
Vgs (Max):Estándar
Tipo IGBT de:Mosfet
Configuración:SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Estándar
De entrada:Estándar
Termistor NTC:Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Estándar
Corriente de drenaje (Id).:Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Estándar
Resistencia-On (RDS):Estándar
Tensión de salida-salida:Estándar
-Tensión Offset (Vt):Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Estándar
Corriente de Valle Iv):Estándar
Corriente de pico:Estándar
Tipo de Transistor:Mosfet
Tipo de montaje:PCB
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:19X10X5 cm
Peso bruto:0.100 kg
