Transistor MOSFET FET Original FYX FDD390N15ALZ N-CH 150V 26A 42mOhm Rds on DPAK Servicio Integral de BOM Stock Disponible
Puntuación de la tienda:
4.9
(35 reseñas)
Atributos
MOSFETTipo
transistor MOSFETUso
Agujero de labranzaTipo de paquete
Montaje superficialTipo de montaje
Diodo Schottky (aislado)FET característica
Tres inversor de faseConfiguración
Número de pieza del fabricante:FDD390N15ALZ
Marca:original
Descripción:MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Lugar del origen:China
PAQUETE/cubierta:TO-252-3 DPak (2 cables + lengüeta) SC-63
Temperatura de funcionamiento:nulo
Serie:transistor de efecto de campo
Código de fecha de fabricación:Más reciente
Tipo de Proveedor:Minorista, ODM, Fabricante original, Agencia
Los medios disponibles:Foto, Otros, EDA/modelos CAD, Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):nulo
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):nulo
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:nulo
Corriente de colector de corte (Max):nulo
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:nulo
Poder-Max:nulo
-Frecuencia de transición:nulo
Resistencia Base (R1):nulo
Resistencia-emisor Base (R2):nulo
FET tipo:Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):150 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:26A (técnico)
Rds (Max) @ Id Vgs:42mOhm a 26A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:2,8 V a 250 UA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:39nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):1760pF a 75V
Frecuencia:nulo
Corriente nominal (en amperios):nulo
Ruido:nulo
Potencia de salida:nulo
-Tensión nominal:nulo
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):4,5 voltios, 10 voltios
Vgs (Max):±20 voltios
Tipo IGBT de:nulo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:nulo
De entrada:nulo
Termistor NTC:nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):nulo
Corriente de drenaje (Id).:nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id:nulo
Resistencia-On (RDS):nulo
Tensión de salida-salida:nulo
-Tensión Offset (Vt):nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):nulo
Corriente de Valle Iv):nulo
Corriente de pico:nulo
Tipo de Transistor:transistor
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
transistor MOSFET
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Tipo de montaje
Montaje superficial
FET característica
Diodo Schottky (aislado)
Configuración
Tres inversor de fase
Los medios disponibles
Foto, Otros, EDA/modelos CAD, Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Minorista, ODM, Fabricante original, Agencia
Poder-Max
nulo
PAQUETE/cubierta
TO-252-3 DPak (2 cables + lengüeta) SC-63
Descripción
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
-Frecuencia de transición
nulo
-Tensión Offset (Vt)
nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id
nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
nulo
-Tensión nominal
nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
nulo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1760pF a 75V
Corriente de Valle Iv)
nulo
Corriente de colector (Ic) (máx.)
nulo
Corriente de colector de corte (Max)
nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
nulo
Corriente de drenaje (Id).
nulo
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
26A (técnico)
Corriente de pico
nulo
Corriente nominal (en amperios)
nulo
Código de fecha de fabricación
Más reciente
De entrada
nulo
FET tipo
Canal N
Frecuencia
nulo
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
nulo
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
39nC a 10V
Lugar del origen
China
Marca
original
Número de pieza del fabricante
FDD390N15ALZ
Potencia de salida
nulo
Rds (Max) @ Id Vgs
42mOhm a 26A 10V
Resistencia Base (R1)
nulo
Resistencia-On (RDS)
nulo
Resistencia-emisor Base (R2)
nulo
Ruido
nulo
Serie
transistor de efecto de campo
Temperatura de funcionamiento
nulo
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
150 voltios
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
nulo
Tensión de salida-salida
nulo
Termistor NTC
nulo
Tipo IGBT de
nulo
Tipo de Transistor
transistor
Tipo de montaje
hacia-252
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4,5 voltios, 10 voltios
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
nulo
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
nulo
Vgs (Max)
±20 voltios
Vgs (th) (Max) @ Id
2,8 V a 250 UA
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