Atributos
FDD390N15ALZNúmero de Modelo
MOSFETTipo
originalMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
MOSFET N-CH 150V 26A DPAKDescripción
ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:TO-252-3 DPak (2 cables + lengüeta) SC-63
Temperatura de funcionamiento:nulo
Serie:transistor de efecto de campo
d/c:Más reciente
Uso:transistor MOSFET
Tipo de Proveedor:Minorista, ODM, Fabricante original, Agencia
Los medios disponibles:Foto, Otros, EDA/modelos CAD, Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):nulo
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):nulo
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:nulo
Corriente de colector de corte (Max):nulo
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:nulo
Poder-Max:nulo
-Frecuencia de transición:nulo
Tipo de Montaje:Montaje superficial
Resistencia Base (R1):nulo
Resistencia-emisor Base (R2):nulo
FET tipo:Canal N
FET característica:Diodo Schottky (aislado)
Tensión de drenador a fuente (Vdss):150 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:26A (técnico)
Rds (Max) @ Id Vgs:42mOhm a 26A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:2,8 V a 250 UA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:39nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):1760pF a 75V
Frecuencia:nulo
Corriente nominal (en amperios):nulo
Ruido:nulo
Potencia de salida:nulo
-Tensión nominal:nulo
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):4,5 voltios, 10 voltios
Vgs (Max):±20 voltios
Tipo IGBT de:nulo
Configuración:Tres inversor de fase
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:nulo
De entrada:nulo
Termistor NTC:nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):nulo
Corriente de drenaje (Id).:nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id:nulo
Resistencia-On (RDS):nulo
Tensión de salida-salida:nulo
-Tensión Offset (Vt):nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):nulo
Corriente de Valle Iv):nulo
Corriente de pico:nulo
Tipo de Transistor:transistor
Tipo de montaje:hacia-252
