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Transistor Mosfet G15 de Canal P, 12 V, 8 A (Tc), 2 W (Tc), SMD SOT-23-3 G15

Sin reseñas
EUR 0.0899
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
Características
Opciones de personalización
PCBA (Pedido mínimo: 1 unidad)

Características principales

Número de pieza del fabricante

G15

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo de paquete

Montaje superficial

Descripción

Transistor MOSFET G15

Lugar del origen

China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
G15
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
Transistor MOSFET G15
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-236-3
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Uso
Transistor MOSFET
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
N/A
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
N/A
Corriente de colector de corte (Max)
N/A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
N/A
Poder-Max
2W (Tc)
Resistencia Base (R1)
N/A
Resistencia-emisor Base (R2)
N/A
FET tipo
Canal P
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
12 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
21mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2700 pF @ 10 V
Frecuencia
N/A
Corriente nominal (en amperios)
N/A
Ruido
N/A
Potencia de salida
N/A
-Tensión nominal
N/A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo IGBT de
N/A
Configuración
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
N/A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
N/A
De entrada
N/A
Termistor NTC
N/A
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de Transistor
N/A
Tipo de montaje
-2-SMD-DIP
Marca
Original
Tiempo de almacenamiento
3-5 días
dirección de entrega
Shenzhen
Descripción
G15
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aplicaciones
-

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

PCBA(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)
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