Componentes de Memoria GD25LQ40CTIGR 8 SOlC, Componentes Electrónicos BOM IC en Existencia
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NOLa tecnología
No volátilTipo de memoria
512 mil x 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2,1 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 µs, 2,4 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
La tecnología
FLASH - NO
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512 mil x 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación
1,65 V ~ 2,1 V
Frecuencia de reloj
104 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
50 µs, 2,4 ms
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
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GD25LQ40CTIGR
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